Hafni(IV) sulfide

Hafni(IV) sulfide
Hafni(IV) sulfide
	Mẫu hợp chất hafni(IV) sulfide
Danh pháp IUPAC	Hafnium disulfide
Tên khác	Hafni disulfide
Nhận dạng
Số CAS	18855-94-2
PubChem	101811522
Ảnh Jmol-3D	ảnh
SMILES	đầy đủ S=[Hf]=S ;
InChI	đầy đủ 1S/Hf.2S;
Thuộc tính
Công thức phân tử	HfS2
Khối lượng mol	242,622 g/mol
Bề ngoài	chất rắn màu nâu
Mùi	giống lưu huỳnh
Khối lượng riêng	6,03 g/cm³
Điểm nóng chảy
Điểm sôi
Độ hòa tan trong nước	không tan
Độ hòa tan	tạo phức với amonia
BandGap	~ 1,8 eV (gián tiếp)
Cấu trúc
Cấu trúc tinh thể	hP3, P3m1, No. 164
Hằng số mạng	a = 0,363 nm, c = 0,584 nm
Các nguy hiểm
Nguy hiểm chính	có thể gây độc
Các hợp chất liên quan
Anion khác	Hafni(IV) oxide; Hafni(IV) selenide
Cation khác	Titani(IV) sulfide; Zirconi(IV) sulfide
Hợp chất liên quan	Wolfram(IV) sulfide; Molybden(IV) sulfide
	Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). kiểm chứng (cái gì ?) Tham khảo hộp thông tin

Hafni(IV) sulfide là một hợp chất vô cơ của hafni và lưu huỳnh, được phân loại là một dichalcogenide phân lớp với công thức hóa học HfS₂. Một vài lớp mỏng của vật liệu này có thể được tách ra bằng cách sử dụng kỹ thuật Scotch Tape tiêu chuẩn (xem graphene) và được sử dụng để chế tạo transistor hiệu ứng trường.^[4] Quá trình tổng hợp hiệu suất cao của HfS₂ cũng đã được chứng minh bằng cách sử dụng quá trình tróc màng ở pha lỏng, tạo ra các mảnh HfS₂ ít lớp nhưng ổn định.^[5]

Điều chế

Bột hafnium(IV) sulfide có thể được sản xuất bằng phản ứng giữa hydro sulfide và hafni(IV) oxide ở 500–1300 °C.^[6]

Hợp chất khác

Phức hợp HfS₂·NH₃ được tạo thành khi cho HfS₂ tác dụng với NH₃ ở thể khí hoặc lỏng. HfS₂ phản ứng với NH₃ tạo thành chất lỏng màu xanh lục đậu, khi tách ra ở dạng bột/tinh thể có màu đỏ cam đậm với vệt màu kim loại đồng.^[7]

Tham khảo

^ Haynes, William M. biên tập (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản thứ 92). Boca Raton, FL: CRC Press. tr. 4.66. ISBN 1439855110.
^ Terashima, K.; Imai, I. (1987). “Indirect absorption edge of ZrS₂ and HfS₂”. Solid State Communications. 63 (4): 315. Bibcode:1987SSCom..63..315T. doi:10.1016/0038-1098(87)90916-1.
^ Hodul, David T.; Stacy, Angelica M. (1984). “Anomalies in the properties of Hf(S_2−xTe_x)_1-y and Hf(Se_2−xTe_x)_1-y near the metal-insulator transition”. Journal of Solid State Chemistry. 54 (3): 438. Bibcode:1984JSSCh..54..438H. doi:10.1016/0022-4596(84)90176-2.
^ Kanazawa, Toru; Amemiya, Tomohiro; Ishikawa, Atsushi; Upadhyaya, Vikrant; Tsuruta, Kenji; Tanaka, Takuo; Miyamoto, Yasuyuki (2016). “Few-layer HfS₂ transistors”. Scientific Reports. 6: 22277. Bibcode:2016NatSR...622277K. doi:10.1038/srep22277. PMC 4772098. PMID 26926098.
^ Kaur, Harneet (2017). “High Yield Synthesis and Chemical Exfoliation of Two-Dimensional Layered Hafnium Disulphide”. Nano Research. arXiv:1611.00895. doi:10.1007/s12274-017-1636-x.
^ Kaminskii, B. T.; Prokof'eva, G. N.; Plygunov, A. S.; Galitskii, P. A. (1 tháng 7 năm 1973). “Manufacture of zirconium and hafnium sulfide powders”. Soviet Powder Metallurgy and Metal Ceramics. 12 (7): 521–524. doi:10.1007/BF00796747.
^ R. R. Chianelli, J. C. Scanlon, M. S. Whittingham, F. R. Gamble (ngày 1 tháng 5 năm 1975). Structural studies of the intercalation complexes titanium sulfide-ammonia (TiS₂·NH₃) and tantalum sulfide-ammonia (TaS₂·NH₃). Inorg. Chem. 1975, 14 (7): 1691–1696. doi:10.1021/ic50149a052.

Bài viết liên quan đến hóa học này vẫn còn sơ khai. Bạn có thể giúp Wikipedia mở rộng nội dung để bài được hoàn chỉnh hơn.

[b92-1] Haynes, William M. biên tập (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản thứ 92). Boca Raton, FL: CRC Press. tr. 4.66. ISBN 1439855110.

[2] Terashima, K.; Imai, I. (1987). “Indirect absorption edge of ZrS₂ and HfS₂”. Solid State Communications. 63 (4): 315. Bibcode:1987SSCom..63..315T. doi:10.1016/0038-1098(87)90916-1.

[str-3] Hodul, David T.; Stacy, Angelica M. (1984). “Anomalies in the properties of Hf(S_2−xTe_x)_1-y and Hf(Se_2−xTe_x)_1-y near the metal-insulator transition”. Journal of Solid State Chemistry. 54 (3): 438. Bibcode:1984JSSCh..54..438H. doi:10.1016/0022-4596(84)90176-2.

[4] Kanazawa, Toru; Amemiya, Tomohiro; Ishikawa, Atsushi; Upadhyaya, Vikrant; Tsuruta, Kenji; Tanaka, Takuo; Miyamoto, Yasuyuki (2016). “Few-layer HfS₂ transistors”. Scientific Reports. 6: 22277. Bibcode:2016NatSR...622277K. doi:10.1038/srep22277. PMC 4772098. PMID 26926098.

[5] Kaur, Harneet (2017). “High Yield Synthesis and Chemical Exfoliation of Two-Dimensional Layered Hafnium Disulphide”. Nano Research. arXiv:1611.00895. doi:10.1007/s12274-017-1636-x.

[6] Kaminskii, B. T.; Prokof'eva, G. N.; Plygunov, A. S.; Galitskii, P. A. (1 tháng 7 năm 1973). “Manufacture of zirconium and hafnium sulfide powders”. Soviet Powder Metallurgy and Metal Ceramics. 12 (7): 521–524. doi:10.1007/BF00796747.

[7] R. R. Chianelli, J. C. Scanlon, M. S. Whittingham, F. R. Gamble (ngày 1 tháng 5 năm 1975). Structural studies of the intercalation complexes titanium sulfide-ammonia (TiS₂·NH₃) and tantalum sulfide-ammonia (TaS₂·NH₃). Inorg. Chem. 1975, 14 (7): 1691–1696. doi:10.1021/ic50149a052.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]