Nhôm arsenide

Nhôm asenua
Nhận dạng
Số CAS	22831-42-1
PubChem	89859
Số EINECS	245-555-0
Ảnh Jmol-3D	ảnh
SMILES	đầy đủ [Al]#[As] ;
InChI	đầy đủ 1/Al.As/rAlAs/c1-2;
Thuộc tính
Công thức phân tử	AlAs
Khối lượng mol	101,902 g/mol
Bề ngoài	tinh thể màu cam
Khối lượng riêng	3,72 g/cm³
Điểm nóng chảy	1.740 °C (2.010 K; 3.160 °F)
Điểm sôi
Độ hòa tan trong nước	phản ứng
Độ hòa tan	phản ứng với etanol
BandGap	2,12 eV (gián tiếp)
ElectronMobility	200 cm²/(V·s) (300 K)
Độ dẫn nhiệt	0,9 W/(cm·K) (300 K)
Chiết suất (nD)	3 (hồng ngoại)
Các nguy hiểm
Nguy hiểm chính	độ độc cao
	Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). kiểm chứng (cái gì ?) Tham khảo hộp thông tin

Nhôm asenua là một hợp chất hóa học vô cơ có thành phần chính gồm có hai nguyên tố nhôm và asen, có công thức hóa học được quy định là AlAs. Hợp chất này được ứng dụng là một chất bán dẫn, và có thể tạo thành một siêu mạng với gali asenua (công thức: GaAs) dẫn đến các tính chất bán dẫn của hợp chất.^[2] Vì các tính chất của hợp chất, nó được dùng làm các bóng bán dẫn HEMT và các thiết bị lượng tử khác.^[3]

Độc tính

Các tính chất hóa học, tính chất và độc tính của hợp chất nhôm asenua không được nghiên cứu cách kỹ lưỡng và ghi lại.

Hợp chất nhôm có nhiều mục đích thương mại và thường được tìm thấy trong ngành công nghiệp. Nhiều trong số những vật liệu này hoạt động về mặt hoá học và do đó có độc tính và phản ứng nguy hiểm.

Biện pháp phòng ngừa đặc biệt

Các biện pháp phòng ngừa khi vận chuyển và cất giữ: Lưu trữ nơi khô mát, thoáng mát trong các thùng chứa kín. Đảm bảo có thông gió tốt. Mở và sử dụng thùng chứa cẩn thận. Không lưu trữ hợp chất này cùng với axit. Giữ bình chứa hóa chất luôn kín.

Tham khảo

^ “Al_xGa_1−xAs”. Ioffe Database. Sankt-Peterburg: FTI im. A. F. Ioffe, RAN.
^ Guo, L. "Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters". Journal of Nanoparticle Research. Vol. 13 Issue 5 p. 2029-2039. 2011.
^ S. Adachi, GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties. (World Scientific, Singapore, 1994)

[ioffe-1] “Al_xGa_1−xAs”. Ioffe Database. Sankt-Peterburg: FTI im. A. F. Ioffe, RAN.

[2] Guo, L. "Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters". Journal of Nanoparticle Research. Vol. 13 Issue 5 p. 2029-2039. 2011.

[3] S. Adachi, GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties. (World Scientific, Singapore, 1994)

[1]

[2]

[3]